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Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究

陈斌;徐重阳;王长安;赵伯芳

  研究Al2O3/SiNX双层绝缘栅对a-Si∶HTFT性能的影响,介绍Al2O3/SiNX双层绝缘栅的制作方法.双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应,改善了短接现象,提高了有效介电常数,从而可减小膜厚,提高栅电容,使得阈值电压降低、开态电流上升,获得了107的开关电流比.……   
[关键词]:a-Si∶HTFT;Al_2O_3/SiN_X;绝缘膜;栅电容;阈值电压
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《华中理工大学学报1998年03期