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准分子激光诱导下 a-Si : H 膜的电导率异常

戴永兵;徐重阳;李兴教;安承武

  用XeCl准分子激光器对a-Si∶H薄膜进行了低能量密度下的辐照处理,测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化.研究表明,能量密度在75mJ/cm2附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高,这种电导率异常是膜表层形成了nmSi晶粒分散于a-Si∶H基底中的混合相的反映.……   
[关键词]:电导率异常;准分子激光;氢化非晶硅
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《华中理工大学学报1998年03期