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M-PS-S结构的V-I特性及其优化

刘刚;谢基凡;于军;介晓瑞

  选用n-,p-和p+三种半导体硅材料作为衬底,通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜;在PS/S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线,形成了M-PS-S二极管结构;在外加直流偏置电压下分别测量它们的V-I特性,得出了不同的V-I特性曲线;V-I特性都具有整流效应.根据对所得特性的理论分析.论述了材料、工艺和结构等因素对M-PS-S特性的影响.并提出了优化设计的方法,以改善M-PS-S结构的特性,实现其在发光、敏感等方面的应用。……   
[关键词]:M-PS-S;伏安特性;优化
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《华中理工大学学报1998年01期