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GaN在辐射场中的物理特性和光谱研究

尹文怡;刘玉柱;林华;李炳生;秦朝朝

  采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-311G++(d,p)基组水平上优化了不同外电场(0~0.025a.u.)下氮化镓分子的基态稳定构型,在此基础上利用同样的方法计算了氮化镓分子的分子结构、偶极矩、总能量、能隙以及红外光谱,拉曼光谱,紫外-可见吸收光谱强度。结果表明,分子的结构的变化与电场大小呈现强烈的依赖关系。随着正向外加电场的增加,GaN分子键长不断减小,电偶极距不断减小,分子总能量不断增大,分子能隙不断减小,红外光谱吸收峰出现蓝移现象,拉曼光谱出现蓝移现象。随着外电场的加强,分子紫外-可见吸收光谱振子强度出现先减小后增大再减小的反复变化,其波峰则出现红移现象。……   
[关键词]:GaN;辐射场;光谱;密度泛函理论
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《光谱学与光谱分析2018年01期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)