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热压烧结工艺制备Si/SiC陶瓷的研究

曹建明;唐汉玲;李龙;邹继兆;曾燮榕

  αSiC粉末为原料,Si为助烧剂,采用适当的热压烧结工艺,在1800℃,25MPa条件下获得了致密的SiC块体陶瓷,其抗弯强度为253MPa。……   
[关键词]:SiC;热压烧结;抗弯强度
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《广东化工2005年03期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)