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  本文要报导一种采用高密度硅栅本体CMOS工艺和基本的6管CMOS RAM 单元电路的全静态16K CMOS RAM。存贮器的典型存取时间为95毫微秒,动态功耗200毫瓦,静态功耗小于1毫瓦。用双层多晶硅MOS工艺已经能够制造带多晶硅负载的16K静态RAM。但是这种RAM的静态电流比较大,这是因为负载电阻要保持低的数值,以弥补工艺上的起伏。另一方面,6管的CMOS RAM单元却有许多优点,尤其是工作范围宽,静态功耗低。可是因为单元是由四个NMOS管交叉耦合的触发器和两个PMOS负载管组成的,从而使单元面积增加,这样要使16K CMOS RAM达到所要求的器件性能,就要用特别紧的布线标准。……   
[关键词]:地址;多晶;晶体;CMOS RAM
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《电子器件1980年S1期