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脉冲偏压对等离子体沉积DLC膜化学结构的影响

孙明仁;夏立芳;孙跃;马欣新;孙立海

  以乙炔为气源,用等离子体基脉冲偏压沉积(plasmabasedpulsdbiasdeposition缩写PBPBD)技术进行了不同负脉冲偏压条件下制备DLC膜的试验.通过X射线光电子谱(XPS)、激光喇曼光谱〔Raman〕以及电阻分析方法考察了负脉冲偏压幅值对DLC膜化学结构的影响.结果表明由-50kV到-10kV随负脉冲偏压降低,DLC膜中SP3键分数单调增加,但当脉冲偏压为0时形成高电阻的类聚合物膜,说明荷能离子的轰击作用是形成DLC化学结构的必要条件.键角混乱度和SP2簇团尺寸与脉冲偏压之间不具有单调关系,在中等幅值负脉冲偏压条件下,键角混乱度较大且SP2簇团尺寸细小.……   
[关键词]:脉冲偏压;DLC膜;化学结构
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《材料科学与工艺2002年01期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)