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纳米锑锡氧化物(ATO)粉体的水热法制备与表征

冯博

  本论文全面的介绍了纳米导电粉体,特别是金属氧化物掺杂型纳米导电粉体的发展概况、原理、种类以及常见的制备工艺。以无机金属盐SnCl_4·5H_2O和SbCl_3为原料,采用水热法制备出电学性能优良的ATO纳米导电粉体。在掺杂浓度为11%,水热反应温度为180℃,反应压力1MPa,反应时间2h,热处理温度为700℃,热处理时间2h的实验条件下制备的ATO粉体,性能达到最佳,晶粒度在20个nm左右,在0.2MPa压力下粉体电阻值为0.2Ω。系统研究了掺杂比,热处理温度,热处理时间等制备工艺过程对ATO纳米粉体相组成和粉体粒度的影响。水热法制备的ATO纳米粉体在热处理温度700℃左右较为适宜,锑的掺杂并未改变粉体的四方相金红石结构,随锑掺杂量的增加,粉体的粒度变小;随热处理温度的升高和热处理时间的延长,ATO粉体的粒度增大,晶体结构趋于完整。对水热法制备的ATO粉体的电学性能进行了深入的研究。适量的掺杂锑(~11%)能显著提高粉体的导电性能,随掺杂量的继续增加,粉体电阻反而下降。电阻值随热处理温度的升高而下降,在300—400℃左右时,电阻值下降很快,继续升高热处理温度,电阻值减小趋势变缓。2h后延长热处理时间对电阻值基本无影响。……   
[关键词]:水热法;ATO纳米粉体;掺杂量;热处理温度;粉体粒度;导电性能
[文献类型]:硕士论文
[文献出处]:浙江大学2004年