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IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究

孙可平;苗凤娟

  在IC 器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿.发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由0.010μm 减少至0.003μm 时,俘获空穴密度临界值由0.100 C/cm~2减少至0.002C/cm~2.相应地,IC 器件抗ESD的性能也急剧下降.……