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不同基片对溅射制备MgTiO_3-CaTiO_3薄膜的影响

王德苗;董树荣;金浩;余厉阳

  微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片的上可以在较低温度(610℃)下获得结晶情况良好、介电特性可以和块状材料相媲美的多晶MCT陶瓷薄膜。随着衬底温度升高,薄膜晶体结构逐步由游离MgO向微晶MCT、多晶MCT到粗大的柱状晶MCT变化。较好沉积温度是610-650℃。……