手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
手机知网|搜索

MOSFET的热载子损伤及其退火恢复

余学峰;艾尔肯;任迪远;张国强;陆妩;郭旗;范隆;严荣良

  对国内常规54HC工艺制做的PMOSFET进行了F-N热载子注入损伤实验,研究了MOSFET跨道、阀电压等参数随热载子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阀电压影响角度,对国内外较少见报道的MOSFET热载子损伤在室温和高温(100℃)下的退火恢复进行了研究,并从该角度探讨了MOSFET热载子注入产生氧化物电荷和界面态的特性。上述研究使得本文对有关用户非常关心的国内一般常规工艺制作的器件是否具有及何种程度具有热载子损伤问题的疑问进行了初步回答,并为国内对MOS 器件热载子损伤的进一步深入研究打下了一定的基础。……   
[关键词]:PMOSFET;热载子;损伤;退火
[文献类型]:会议论文
[文献出处]: 《第十届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集2000年