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固态源后硒化法制备铜铟镓硒薄膜的研究

孙云;龚晓波;温国忠;郭虎森;刘明光;郭淑华;李长健

  根据CIGS薄膜性质主要依赖于Cu/In/Ga原子配比和硒化条件,与中间的生长过程无关,将Cu、In、Ga分别成膜,进行固态源后硒化处理。通过金相显微镜、XRD、SEM等仪器观察、分析薄膜材料的晶相及表观形貌,研究原子配比、衬底温度和Se蒸发温度对化合物成分组合及材料结构的影响,并制备出优质的CIGS薄膜。……   
[关键词]:后硒化;CIGS薄膜;太阳电池
[文献类型]:会议论文
[文献出处]: 《第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集2001年